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AMR技術

AMRセルはMU金属の非常に薄いレイヤで構成されます(パーマロイ)。
ニッケル鉄合金レイヤの厚さは、20 nm程度です。このレイヤが磁場の影響を受けると、電気抵抗が変化します(GMRセルと同様)。AMRテクノロジにより、狭い検出範囲と小さなヒステリシスが実現します。そのため、このテクノロジはストロークの短いシリンダや高精度アプリケーションに非常によく適しています。

GMR技術

GMRセルは金属の3つのレイヤで構成されます。このレイヤのうち2つはコバルト(磁化可能)製で、1つは銅(磁化不可能)製です。3つのレイヤの電気抵抗は、磁化の状態によって異なります。
そのため電気抵抗を、外部磁場をかけることで変更できます。電気抵抗へのこの影響を検出できるため、センサがスイッチングします。

GMRテクノロジの信頼性は非常に高いです。
しかし好ましくないケースでは、複数のスイッチポイントが可能です。これは、強い永久磁石がシリンダに設置されている場合に生じることがあります。検出距離(センサが磁気によりスイッチングする範囲)は非常に幅広く、ヒステリシスも大きいです。

リードテクノロジ

リードスイッチは、2つの重なる金属接点プレートで構成されます。磁場がかかっていない場合、スイッチング接点はアイドル状態です。つまり、回路は通常状態ではオーブンで、電流は流れることができません。磁場がある強度を超えるとすぐに、接点プレートが閉じます。これにより電流が流れます。磁場が再び弱まると、プレートは開いてスイッチは再びアイドル状態になります。
これらのプレートはガラスチューブに設置されています。

AMR、GMR、機械式リードセンサの違い

  AMR GMR リード
 
タイプ 半導体出力 半導体出力 機械式リード接点型
寿命 無限のサイクル数 無限のサイクル数 100~200万サイクル)
繰返し精度
応答時間
感度
温度耐性
強い磁場への反応 複数のスイッチポイントも可能 複数のスイッチポイントも可能
ストロークの短いシリンダへの適合性
ピストン振動への
感度